韩媒：NAND闪存300层“速度”之争，中国长江存储不容小觑！
3月26日，韩国媒体《Newsis》发表文章称，尽管内存行业不景气，但对NAND闪存“层压”技术的竞争如火如荼。这种竞争取决于谁建立了更多的单元格，即数据存储空间。去年200层以上NAND闪存的批量生产正式开始，今年，率先达到下一代300层的厂商之间的竞争有望加剧。
业内人士表示，需求萎缩引发内存供过于求的担忧，但内存厂商正在加速开发下一代300层NAND。
SK海力士最近在美国旧金山举行的国际固体电路学会（ISSCC）上发表了300层以上NAND闪存设计相关的技术论文。SK海力士去年8月宣布开发238层NAND闪存，计划今年上半年投入量产。接着还将加快300层NAND产品的开发速度。
NAND闪存的核心技术是存储尽可能多的数据。目前NAND闪存行业正在量产在有限的面积内堆叠200层以上单元的产品。目前层数最高的是三星电子从去年年底开始批量生产的1Tb第8代V NAND，为236层。
NAND闪存业界正在集中力量开发读写速度更快的高性能存储器。SK海力士通过此次论文发表说明称，采用了TPGM技术，将单元格分为4组存储数据。新一代300层NAND的写入速度为194MB/s，比现有技术（164MB/s）提高了10%以上。
如果SK海力士成功开发出300层NAND，明年以后就可以投入量产。虽然三星电子尚未公布具体的新一代产品路线图，但预计明年以后将推出300层以上的产品。三星电子自2013年8月推出24层NAND以来，时隔10年突破300层。
美国美光去年开始批量生产232层NAND产品后，正在准备明年以后推出第七代（300层以上NAND）产品。
中国的长江存储也不容小觑。该企业克服美国政府的设备出口限制，去年向市场推出了232层产品，震惊了业界。业内认为，如果不考虑比特密度等因素，长江存储在层数的竞争中被认为是最突出的。
但NAND开发竞争的关键在于技术能力之外的市场需求恢复。据市场调查机构Omdia的统计，今年全球NAND闪存市场的销售额为666.69亿美元，比前一年减少10%。
但随着数据中心市场的扩大和人工智能、自动驾驶等尖端产业的发展，高容量存储器的需求将日益增加。Omdia预测，NAND闪存市场将以明年为起点大幅增长。NAND闪存2021-2026年的年均增长率为9.4%，高于同期半导体行业的整体增长率（5.8%）。预计内存企业之间激烈的技术竞争将持续一段时间。