国产055型驱逐舰，据说它的雷达就采用了GAN技术
5月11日，国内三代半导体（氮化镓）团队获得“全国创新争先奖，表明国内在三代半导体方面取得了技术突破，为国产电子装备性能提高和升级打下了坚实的基础。
氮化镓（GAN）器件与现有砷化镓（GAAS）器件相比，功率更大，耐热性更好，是新一代有源相控阵雷达首选。有人曾经这样形容GAN器件重要性，如果说2020年之后雷达进入了有源相控阵时代，那么2025年之后，有源相控阵将会进入GAN时代。
许多人可能很难相信自己的手机充电宝用了055万吨大驱上面的技术
我们知道雷达探测距离公式有两个重要参数，天线孔径和功率。在天线孔径一定情况下，功率就成为提高雷达探测距离主要途径。对于有源相控阵雷达来说，就是提高T/R模块功率，更大功率意味着更大电压，另外T/R模块能量转化效率较低，大部分能量转化成了热能，更大功率也意味着更大热量，这些都对T/R模块增加功率提出了挑战。高电压、大功率、耐热性强正好是GAN器件优势所在，它与GAAS器件相比，器件体积、重量更小，但是功率更大，能够在更高温度下工作，因此采用GAN器件的T/R模块，功率比GAAS模块体积更小，重量更轻，但是功率更大，耐热性能更好，相应雷达性能也会更高，可靠性也会更好。
美国伯克F3驱逐舰，它的雷达同样用了GAN技术
GAN器件带宽更大，增益也更高，对于雷达来说，更大带宽意味着更好的分辨率，能够探测更小的目标，国内外雷达工业界普遍认为2020年之后隐身目标将会更加广泛出现在战场上，对于雷达探测能力提出了更高要求，这也是有源相控阵雷达GAN化重要原因之一。另外更大带宽也意味着雷达抗电子干扰性能更好，现代战场电子战日益激烈，这一点显然非常宝贵。