韩媒：华为申请EUV专利，中国力争突破“半导体制裁”壁垒！12月27日，韩国媒体《国民日报》发表文章称，华为申请了尖端半导体制造工艺必须的“极紫外线（EUV）技术”专利。中国自主研发技术能否突破美国制裁，为实现“半导体崛起”奠定基础备受关注。据业内人士27日消息，近日，华为在其首页上传了一段名为《华为入局——中国EUV光刻机突破》的视频。据说在制造用于10纳米(nm)以下工艺的EUV光刻系统中使用的光源组件方面取得了新进展。华为强调，使用该专利可以改进IC电路和芯片组制造工艺。据悉，华为上个月中旬申请了一项专利（申请号202110524685X），涵盖EUV光刻工艺和关键部件。光刻是制作半导体时在硅片上形成电路图形的工艺。通过发射像激光一样的光雕刻电路，但随着半导体工艺已经精细到纳米级，在电路上绘制图案变得非常困难。为了克服这个问题，波长极短的EUV成为了解决的方法。半导体业界认为，不到7纳米的超微工艺没有EUV是无法制造的。目前，全球能够制造EUV设备的企业只有总部位于荷兰的ASML。利用该设备制造不到7纳米半导体的公司只有台积电和三星电子。美国禁止向中国出口14纳米以下的半导体设备，以阻止中国制造先进半导体。这实际上是针对EUV的措施。因此，华为独立申请了EUV光刻技术专利意义重大。有媒体报道称，中国清华研究院和中国科学院也在自主研发EUV相关技术。但中国能否真正达到EUV设备的生产，还是个未知数。首先，此次华为申请的专利尚未获批。最重要的是，制造EUV设备需要1万多个零部件。没有严密的供应链支撑，设备生产就很难。EUV零部件和技术大部分与美国有关，因此不可能所有技术都在中国自主开发。有媒体指出：“仅在开发台积电、三星电子、美光、SK海力士等公司使用的ASML第一代EUV设备方面，就花费了17年时间。”