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韩媒:中国,改变游戏规则的“3D

2023-01-24 15:15:55
韩媒:中国,改变游戏规则的“3D DRAM”开发速度之战!1月24日,韩国媒体《首尔经济日报》发表文章称,中国半导体业界正在加紧开发尚未商用化的“3D DRAM”。3D DRAM被誉为可以左右今后存储器市场霸权走向的“梦想技术”,但没有一家企业掌握主导权。有人担心,试图掌握世界半导体主导权的中国很有可能迅速抢占该技术,威胁韩国在DRAM领域的地位。据业内人士20日透露,长江存储、中国科学院等中国知名DRAM制造商和半导体技术研究机构相继发表了3D DRAM相关研究结果。长江存储与中科院推出了一种仅用两个晶体管(2T0C)制造DRAM存储器件的技术。现有的 DRAM 单元由一个晶体管和一个电容器 (1T1C) 组成。去掉了在现有结构中占据很大体积的电容器,增加了一个晶体管。韩国业内人士认为,由于技术限制,中国企业和机构很难立即实施“2T0C”结构。但同时警告说,韩国应该密切关注正在加速开发3D DRAM的中国公司和国家研究机构的动向。这是因为不能排除在通过各种研究成果积累专业知识的同时,中国在世界上首次实现原始技术的可能性。中国想抢占3D DRAM技术的原因多种多样。首先,3D DRAM与现有的2D DRAM市场不同,是没有企业掌握独特主导权的“无主”市场。三星电子在世界DRAM市场上占据40%以上的占有率,位居第一,虽然在2019年对3D DRAM结构概念申请了专利,但直到2021年才在设备解决方案部门内新设新一代工程开发组,开始着手研究。SK海力士也在内部进行3D DRAM研究,去年首次向大众公开了3D DRAM概念。另外,如果中国率先开发3D DRAM的源泉技术,美国的对华半导体设备限制也会失效。美国从2019年6月开始禁止荷兰ASML向中国出口先进的极紫外光(EUV)曝光设备。如果掌握3D DRAM技术,即使没有EUV设备,也能制造出比现有DRAM容量更大的DRAM。目前,长江存储等中国企业在全球DRAM市场上的占有率仅为1%左右。但有分析认为,如果中国投入技术人力和巨额资本,提前生产3D DRAM,那么DRAM市场的优势将一下子从韩国转向中国。
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