韩媒：美国美光、中国长江存储，三星在存储半导体领域受到激烈挑战！1月29日，韩国媒体《朝鲜日报》发表文章称，即使在三星电子连续30年保持世界第一的存储半导体领域，也很难用“超级差距”这个词。是因为，越到尖端微工艺，由于技术限制，超差的步伐就越慢，而这期间后来者们也在紧追不舍。三星也在去年5月发表投资计划时表示：“在存储器产业，竞争企业的挑战越来越大，‘世界第一=三星’的常识出现了裂痕。拥有巨大内需市场和国家支援的中国存储器企业的增长也构成了威胁。”三星电子是一家无与伦比的内存半导体公司，分别在全球DRAM和NAND闪存市场保持第一的位置达30年和20年。然而，最近，它正在将“世界第一”的头衔拱手让给美国和中国等竞争对手。美国最大的存储芯片企业美光去年7月宣布全球首次批量生产“232层NAND Flash”。当时三星生产176层NAND。NAND闪存是智能手机、PC等电子设备和服务器上搭载的数据储存用半导体。为了实现高容量，像高层公寓一样堆高层数被评价为技术力的一个尺度。对此，加拿大某半导体咨询企业主张称：“事实上，中国半导体企业长江存储科技（YMTC）比美光先生产232层NAND。”SK海力士去年也宣布成功开发出了世界最高层238层NAND。直到去年11月，三星才宣布批量生产236层NAND，加入了这一行列。三星电子表示：“企业为了动摇市场格局，进行了某种‘技术营销’。考虑到市场需求、单位面积生产效率等诸多因素，很难认为世界第一就一定好。”目前，三星电子以超过10个百分点的差距领先DRAM和NAND闪存市场。DRAM市场是三星电子（40.6%）、SK海力士（29.9%）、美光（24.8%）的“三巨头”格局（以去年第三季度为准）。NAND闪存市场由三星电子（31.6%）、日本Kioxia（21.1%）、SK海力士（19%）、美国西部数据（12.4%）、美光（11.8%）展开竞争。尽管如此，竞争公司的技术追击仍令人难以忽视。半导体业界相关人士表示：“特别是中国长江存储的232层NAND质量水平出乎意料的高，三星内部也相当关注。”半导体业界认为，就像三星电子在代工市场上获得“世界首个3纳米量产”的头衔，紧追台积电一样，在存储器市场上，美国、中国的竞争企业也在凭借世界第一头衔追赶三星。半导体业界相关人士表示：“目前的局面是，在存储器领域被后起之秀追赶，而在代工领域，台积电更是遥遥领先。三星半导体正面临难关。”