韩媒：美国拿出了胡萝卜和大棒，要求韩国芯片在中美间“二选一”！
2月27日，韩国媒体《每日经济》发表文章称，美国政府将发放高达390亿美元的半导体补贴。这是吸引半导体企业投资的胡萝卜。美国计划通过此举，到2030年至少确保2个半导体集群，掌握尖端半导体产业的主导权。为此，美国还伸出橄榄枝说：“欢迎韩国企业申请补贴。”

受到美国政府积极拉拢的韩国半导体企业的气氛非常微妙。因为如果得到补贴，实际上在中国的业务就很难运营。这暗示了不会延长向韩国半导体企业放宽的延期措施的可能性，无异于逼迫韩国在美国和中国之间做出选择。预计在中国生产量相当可观的三星电子和SK海力士的苦恼将进一步加深。

据悉，美国拜登政府将从本月28日（当地时间）开始接受390亿美元规模的半导体生产补贴申请。

美国商务部长吉娜·雷蒙多在华盛顿特区乔治华盛顿大学演讲时强调：“从周二（28日）开始接受半导体补贴申请。如果韩国企业、日本企业在美国建厂并开展业务，也欢迎申请补贴。”

此前，去年8月制定了《半导体芯片与科学法》。根据该法案，将提供390亿美元的半导体制造、生产设施建设补助金，132亿美元的尖端技术研发以及劳动力投资等共527亿美元的支援。如果在美国建设半导体设施，还可享受25%的税收抵免。由此产生的影响估计为240亿美元。

美国政府的破格优惠是有条件的。今后10年内禁止在中国等“外国相关实体”建设尖端半导体设施或对现有设施进行追加投资的“护栏（安全装置）”条款。要想得到补贴，必须与美国商务部签订同意上述内容的协议。

问题是“护栏”的范围不明确。逻辑半导体（非存储器空导体）被限制在28纳米或下一代。另一方面，通用半导体（存储器半导体）处于与逻辑半导体相当的水平，由美国商务部长与国防部长、国家情报局长等协商后决定。

业界认为，通用半导体的标准将以去年10月公布的半导体出口管制措施为准。当时，美国商务部产业安全局规定，如果想在中国生产18纳米以下的DRAM、128层以上NAND Flash、使用FinFET技术的14纳米以下逻辑芯片，必须获得美国政府的相关技术和设备出口许可。有人指出，从护栏条款和出口管制措施都是对华技术壁垒的一环来看，DRAM和NAND的技术分别为18纳米和128层，可能会被限制在更老一代的技术范围内。

三星电子中国西安工厂负责全部NAND产量的40%左右。SK海力士无锡（DRAM）、大连（NAND）生产的存储芯片也不少。DRAM和NAND的40%以上和20%以上在中国制造。有人说，根据“护栏”细节内容，可能需要改变业务战略。