韩媒:中国长江存储,迅速崛起为3D NAND领头羊!
6月3日,韩国媒体《先驱经济》发表文章称,有分析认为,中国长江存储登上了3D NAND闪存芯片市场的领头羊位置。2016年成立的长江存储在中国政府的支持下,以惊人的增长势头提升了尖端NAND的开发水平,对三星电子和SK海力士构成了实质性的威胁。
近日,国际半导体设备材料协会(SEMI)在京畿水原会展中心举办的“SMC韩国”上,TechInsights的崔正东博士说:“就在几年前,东芝和三星电子是存储器技术的领导者。听起来可能不太好听,但在技术方面,现在长江存储和美光已经上升到领头羊的水平。”
崔博士表示,市面上长江存储和美国存储企业美光正在量产的232层NAND很容易买到。虽然128层和176层是NAND市场的主要产品,但随着232层的量产和上市,三星电子和SK海力士等韩国半导体企业开始紧张起来。
以三星电子为例,虽然已经开始批量生产第八代V NAND(236层),但据了解,市场上的供应量低于美光或长江存储。
崔博士表示:“长江存储跳过了NAND堆叠中间阶段的176层,只用了4到5年就做到了232层,短时间内成为半导体业界的领头公司”。他接着强调:“实际上从长江存储的产品分析来看,混合键合成熟度是相当领先的。”有人指出,由于拥有这种232层相关技术能力,美国从地缘政治的角度出发,以敏感的眼光牵制中国半导体技术。
只是从长远的角度来看,美国对中国的设备出口限制会对长江存储的技术研发能力产生什么样的影响,还有待观察。由于美国政府主导的美国产等尖端半导体设备不得进入中国,长江存储技术开发处于停滞状态。但仅凭目前的设备和技术,从研究开发角度来看,300-400层NAND的开发是可能的。
崔博士说:“NAND与DRAM不同,它也不是利用极紫外线(EUV)设备,而是目前的研发设备,今后可以追加开发到第二代。虽然能否量产还有待观察,但开发到300-400层完全可以。”
另外,崔博士认为:“今年DRAM和NAND的价格会跌到第二季度,第三季度价格会触底,然后反弹。”观察认为,明年半导体需求重新复苏,伴随价格上涨,半导体设备公司将迎来业绩上升局面。