军事：中国成功制备二维黑磷场效应晶体管应用潜力极大(2)

科技日报 2014-03-13 15:34:00

效应晶体管,黑磷,单晶

实验显示，当二维黑磷材料厚度小于7.5纳米时，其在室温下可以得到可靠的晶体管性能，其漏电流的调制幅度在10万量级，电流—电压特征曲线展现出良好的电流饱和效应。晶体管的电荷载流子迁移率还呈现出对厚度的依赖性，当二维黑磷材料厚度在10纳米时，获得最高的迁移率值大约1000平方厘米每伏每秒。这些性能表明，二维黑磷场效应晶体管在纳米电子器件应用方面具有极大的潜力。