军事：中国一新型材料实现量产 国产舰机将更先进廉价(2)

材料,雷达,碳化硅

　　众所周知，目前大多数的半导体材料都是单晶硅，长期以来，我国的单晶硅主要依靠进口。相比单晶硅，碳化硅材料的制作和应用则一直很困难，当前世界上研发碳化硅器件的主要有美国、德国、瑞士、日本等国家，但直到现在碳化硅的工业应用主要是作为磨料(金刚砂)使用。瑞士ABB曾经一度成功开发出碳化硅二极管，然而在2002年，由于工艺困难、前景不明，ABB终止了碳化硅项目，可见研发难度之大。

　　半导体碳化硅衬底及芯片的重要战略价值，使其始终稳居美国商务部的禁运名单，这也导致我国很难从国外获得相应产品。我国第二家企业对4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品的研制成功，说明我国在碳化硅晶片产品在工艺和产量上已经能摆脱对国外的依赖，走向了自主化的规模生产和普遍应用。

　　碳化硅物理特性与硅有很大不同。单晶碳化硅比单晶硅具有很多优越的物理特性，例如大约10倍的电场强度、大约高3倍的热导率、大约宽3倍禁带宽度、大约高一倍的饱和漂移速度。除此之外，在具体的应用上，虽然碳化硅器件的工艺难度比单晶硅大很多，但是一旦解决工艺问题，碳化硅器件制造流程短，体积重量小、抗氧化寿命长、输出功率高的特点，将使其成为远优于单晶硅的21世纪理想半导体材料。而且碳化硅材料对电力的能耗极低，按照如果年产40万片碳化硅晶片衬底的计划，仅仅应用在照明领域，每年减耗的电能就相当于节约2600万吨标准煤，是一种理想的节能材料。