军事：中电集团55所又出雷达黑科技？一组件已用于神盾舰

　　原标题：中电集团五十五所开发三维氮化镓组件 受到外媒关注

　　[观察者网综合报道]中国电科（CETC）第五十五研究所（NEDI）微信公众号4月12日报道，该所重点实验室张凯博士发表在国际半导体器件权威期刊《IEEE Electron DeviceLetters》上的论文《High-Linearity AlGaN/GaN FinFETs for Microwave Power Applications》即《三维鳍式GaN高线性微波功率器件》被国际半导体行业著名杂志《Semiconductor Today》进行专栏报道，受到国内外业界关注。

《Semiconductor Today》报道截图

　　张凯博士的论文聚焦重点实验室近期在GaN高线性技术方面获得的多个重要突破，创新提出三维GaN FinFET微波功率器件，克服了GaN平面器件瓶颈，极大改善了跨导平整度，大幅提升GaN器件线性度，同时维持高的输出功率和效率，为下一代移动通信高性能元器件奠定基础。本成果也是首次展示GaN三维器件相对于二维器件在微波功率应用的优势与潜力，有力推动了GaN三维器件的实用化进程。该成果研制过程中得到国家自然科学基金、预研基金等课题的支持。