韩媒：中国DRAM也崛起了，明年全球份额将突破10%！
10月25日，韩国媒体《首尔经济日报》发表文章称，在全球半导体市场，中国的崛起正在成为现实。这是因为中国半导体公司正在通过以技术差距很小的通用存储器为中心的数量攻势来增加市场份额。有人担心，如果将业绩稳定的通用市场输给中国，韩国尖端半导体开发的竞争力可能会崩溃。
近日，市场研究公司Trend Force表示，今年第三季度中国内存企业在DRAM市场的份额仅为6.0%，但一年后的明年第三季度预计将突破10%，达到10.1%。
这一飞跃是由中国第一大内存公司长鑫存储引领的。摩根士丹利在最近的一份报告中分析称，今年长鑫存储的DRAM产量将超过全球产量的10%。认为份额扩张速度将快于Trendforce的预期。
长鑫存储的主要产品是传统内存，例如DDR4和LPDDR4X（一种低功耗DRAM）。与生产DDR5或LPDDR5X的三星电子和SK海力士相比，他们的技术落后了三代以上。
然而，他们依靠巨大的内需市场和政府的扶持，打破了内存市场的规律。传统芯片通常利润率较低，因此一旦在尖端芯片竞争中落后，往往无法生存。这也是三星电子30多年来在DRAM市场保持超级差距并保持第一的秘诀。然而，随着现有内存规则的打破和供应的增加，传统芯片的价格正在直线下降。
技术水平也在逐步提高。据悉，长鑫存储最近生产了第二代高带宽存储器（HBM）并交付给客户。与韩国仍有技术差距，但这是可以占领中国内部人工智能（AI）芯片市场的产品。韩国嘉泉大学教授Kim Yong-seok表示，“我认为，相对容易追赶的NAND闪存领域已经赶上了技术水平。作为HBM等的根本竞争力的DRAM市场，韩国需要各种支援对策，以保持技术差距。”
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