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8050三极管引脚图 8050三极管参数
参数如下：
8050引脚图：
1、最大集电极电流(A)：0.5A。
2、最大集电极-发射极电压（VCEO）：25。
3、特征频率：150MHz。
PE8050硅NPN30V1.5A1.1W。
3DG8050硅NPN25V1.5AFT=190*K。
判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，用手捏住基极和假定集电极，黑表笔接触假定集电极，红表笔接触假定发射极指针有较大偏转则假定正确，反正错误。进一步验证，替换假定集电极和假定发射极，重复操作，两次中指针偏转较大的假定正确；npn型红黑表笔相反。
三极管8050参数
s8050三极管基本参数：
类型：NPN。
集电极耗散功率Pc：0.625W（贴片：0.3W）。
集电极电流Ic：0.5A。
集电极-基极电压Vcbo：40V。
集电极-发射极电压Vceo：25V。
集电极-发射极饱和电压Vce(sat)：0.6V。
特征频率f：最小150MHz。
按三极管后缀号分为BCD档贴片为LH档。
放大倍数：B85-160C120-200D160-300L100-200H200-350。
管脚排列顺序：E、B、C或E、C、B。
S8050是一款小功率NPN型硅管，集电极-基极（Vcbo）电压最大可为40V，集电极电流为（Ic）0.5A。S8050是电路硬件设计最常用半导体三极管型号之一。
扩展资料
理论原理：
对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e（Emitter）、基极b(Base)和集电极c(Collector)。
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo。
参考资料来源：百度百科-S8050
参考资料来源：百度百科-三极管
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