外媒：美国对芯片行业的限制不断加强，中国研究人员正在开发新的芯片制造方法。
哈尔滨工业大学的一个项目最近在省级创新成果转换竞赛中获得一等奖。该项目采用与西方不同的技术路径，开发出“放电等离子体极紫外光刻光源”，具有高能量转换效率、低成本、体积小和技术难度低的特点。
该技术能产生波长为13.5纳米的极紫外光，满足光刻市场对极紫外光源的迫切需求。
极紫外光刻机是半导体制造中最复杂且最难生产的设备，这一创新为中国半导体产业突破技术封锁提供了新的希望。

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