大年初四，好消息一个接一个！韩国国内哀嚎一片：这次国本都要断送了！
当地时间1月31日，根据加拿大科技媒体TechInsights发布的最新调查报告，长江存储生产的新一代NAND闪存达到世界领先水平，其中采用长江存储闪存颗粒的新一代致态TiPro9000固态硬盘，首次应用了Xtacking4.0技术，经过TechInsights的性能测试，这款长江存储生产的NAND闪存已经可以媲美韩国SK海力士的旗舰产品了。
这意味着美方对东大长江存储、长鑫存储两大内存芯片企业的限制已经变得毫无意义，Xtacking结构技术又被称为混合键合结构，简单讲就是将两片晶圆通过工艺链接技术，实现存储芯片的存储密度、速度和性能上的大幅提高，继而在第五代高性能NAND闪存取得技术领先优势的新一代内存结构和工艺。
值得注意的是，这家加拿大媒体在农历春节之际，以东大通过“重大存储技术突破步入2025”为题目报道相关事件。TechInsights的性能测试显示，采用长江存储1TB SSD固态硬盘的总体性能已经达到或接近SK海力士同代产品的能力，达到当前全球NAND闪存领域的最高水平。与此同时，长江存储正在研制的新一代3XX层NAND闪存也已经箭在弦上，在追赶SK海力士 321层 4D PUC NAND设备的过程中，东大企业充满斗志。
TechInsights认为，这两项进步实际上展现出东大芯片企业在先进材料和加工工艺领域的大幅度创新，值得一提的是，新一代致态TiPro9000固态硬盘对标的SK海力士 Platinum P51硬盘至今还未上市，在市场上已经领先对手一筹。
对此，韩国媒体更是忧心忡忡。我们看到，近期从长鑫存储和长江存储在DRAM和NAMD存储芯片领域的进步来看，韩国芯片产业的未来非常不妙，作为韩国芯片产业的拳头产品，储存芯片一直是韩国企业的重要发展方向，然而随着长鑫存储和长江存储市场份额的不断扩大，韩国芯片企业发觉他们正在迎来生存危机。
韩国《经济新闻》认为，随着东大在存储新品啊领域的快速迭代进步，韩国在全球记忆和存储器领域的代工和生产链优势正在逐步丧失，三星和SK海力士在高性能DRAM和NAMD存储芯片领域的技术优势分别仅剩下1年和3年，由于韩国芯片产业对东大的出口比重高达40%左右，长鑫存储和长江存储的技术进步和产能扩大对韩国芯片产业带来了根本性威胁。
韩国《经济新闻》认为，东大在芯片产业，特别是存储内芯片产业的快速发展，已经开始动摇韩国芯片产业的核心部分，若韩国苦心经营的全球存储芯片优势产业遭到冲击，韩国经济中最重要的支柱性产业将面临巨大风险，甚至有“动摇国本”的危险，与此同时，川普当局要求韩国三星和SK海力士必须将存储芯片生产线搬迁至美国，并且在美国境内生产的消息更让外界对韩国芯片产业的未来感到担忧。
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