中微公司即将实现零部件自主
中微公司董事长尹志尧表示，限制进口零部件在2024年下半年实现100%的替代。
中微是唯一国内进入台积电的刻蚀设备商，但只是上层打孔的时候用一下，但是它确实属于整个 5nm工艺体系中的一部分。中微CCP部门和ICP部门合并变成现在等离子刻蚀。
中微在中国电容耦合等离子体（CCP）刻蚀设备市场的份额预计增至60%。在电感耦合等离子体（ICP）设备市场，份额可能会从几乎为零上升到75%。
中微公司可以基本覆盖CCP刻蚀设备7成左右的工艺，欠缺主要是两方面：1）大马士革刻蚀，国外的设备公司基本垄断。2）极高深宽比的刻蚀设备，尤其是3D存储器领域。
公司正开发涵盖128层及以上关键刻蚀应用以及相对应的极高深宽比的刻蚀设备和工艺。中微公司超高深宽比掩膜（≥40:1）和超高深宽比介质刻蚀（≥60:1）都已经开展现场验证。
中微自2017年起已经成为氮化镓基LED市场全球份额最大的MOCVD设备供应商。
中微公司制造的氮化镓基 LED 的关键设备 MOCVD设备在新一代 Mini-LED 产业化中，在蓝绿光 LED 生产线上取得了绝对领先的地位。该设备是适用于高质量氮化铝和高铝组分材料生长的关键设备，反应腔最高温度可达1400度，具有优异的工艺重复性、均匀性和低缺陷率。该设备同时也为高产量而设计，单炉可生长18片2英寸外延晶片，并可延伸到生长4英寸晶片。
中微公司发布Prismo UniMax用于高性能MiniLED量产的MOCVD设备，可以同时加工164片4英寸或72片6英寸外延片，目前已经收到国内多家领先客户的批量订单，累计设备订单超过180腔。
中微公司收购昂坤视觉的股权，布局晶圆光学检测技术；
公司布局的薄膜沉积设备LPCVD是除光刻机和刻蚀机外第三大设备市场；
公司现在正紧锣密鼓开发在硅和锗硅方面在集成电路需要的EPI（单晶外延）设备；
另一个布局是导体类的（低压热化学的反应器）；
公司也进入了导体类ALD的领域，相关设备正在开发中；
中微参股PECVD领先企业拓荆科技；
投资半导体检测设备制造公司睿励仪器。
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