欧洲学者这样认定：不是什么技术突破，是美国监管机构漏洞使华为芯片"突破"成为可能。上个月，中国国家媒体宣称，华为技术公司炫目的新旗舰智能手机Mate60Pro的核心微芯片展示了中国公司如何巧妙地突破美国对先进芯片制造技术的封锁。
这些芯片由中芯国际集成电路制造有限公司（SMIC）制造，基于所谓的7纳米技术。要知道，华盛顿可是试图限制中国公司获得生产低于14纳米或在某些情况下16纳米芯片的技术。
两周前，美国商务部长吉娜-雷蒙多在听证会上表示，中国最大的芯片制造商中芯国际无法"规模化"生产7纳米半导体，以此试图缓解国会对政府出口管制失效的担忧。
然而，事实却比双方所想的要复杂得多。
中芯国际的"突破"有一定规模，但并非基于自主创新。的确受到了华盛顿的技术控制，可中芯国际还是设法获得了先进芯片制造所需的美国设备。事实上，雷蒙多的部门已经向中芯国际发放了许多设备销售许可证。
从理论上讲，鉴于商务部现在有拒绝发放先进芯片技术许可证的推定，许可证应该只针对中芯国际基于成熟技术的生产线所需的设备和零部件。但是，有些设备对低于和高于14纳米门槛的芯片生产都很有用。
第三方供应商已经获得了美国的许可证，可以购买中芯国际设备所需的零部件，以保持设备的良好运行状态。据报道，其中一家供应商位于中芯国际北京制造厂附近，因此它甚至可能不是真正的第三方供应商。
另外值得注意的是，荷兰公司ASML和日本供应商向中芯国际销售的一些先进设备，在其国家新的出口管制生效前的宽限期内继续得到允许。
除了相对宽松的许可证制度外，美国出口管制的实施在其他方面也不尽如人意。
许多针对特定类型设备的管制技术标准过于模糊，无法阻止那些实际上只能用于先进制造的工具获得许可证。据称，业内人士为商务部工业与安全局撰写了某些类型设备的技术规范，因此可能故意使管制措施变得毫无意义。
只要中芯国际能从ASML获得先进的深紫外线（DUV）光刻技术，并从美国供应商处广泛获得其他关键的先进工具，它就能大规模生产7纳米芯片。它甚至有可能像台湾半导体制造股份有限公司（台积电）那样，使用DUV设备生产5纳米芯片。至于中芯国际能否像以运营效率著称的台积电那样，在5纳米芯片生产中实现类似的产量，则是另一回事。
今年年初，中国的芯片制造设备进口量有所下降。随后，在美国宽松的许可政策以及中国买家抓住最后的机会自由购买某些荷兰和日本设备的情况下，销售额又出现了大幅增长。通过这次狂购，中芯国际生产先进芯片的潜在能力可能已从早先估计的每月1万片晶圆激增到每月3万片。
然而，这场设备进口海啸并不意味着美国的出口管制是无可挽回的失败。
如果美国商务部收紧许可，特别是对中芯国际和各种零部件供应商的许可，并修订技术规则，更有效地禁止销售生产先进逻辑芯片所需的设备，就能防止中国进一步提高先进逻辑芯片的生产能力。随着时间的推移，更严格的管制也可能会削弱中芯国际目前的生产能力，因为维持其设备的良好运行状态将变得更加困难。
在不加强出口管制的情况下，中芯国际至少还能以较高的运营效率维持现有的先进制造能力水平，并将其工艺技术推进到5纳米。但是，如果没有极紫外（EUV）光刻设备，中芯国际几乎不可能超越5纳米，因此也就不可能进一步向技术前沿迈进。
从国家安全的角度来看，美国商务部的许可行为及其对中芯国际的宽容显得尤为奇怪。
中芯国际是中国领先的逻辑芯片供应商，而逻辑工艺对于人工智能相关芯片至关重要，是国家安全的关键所在。在存储芯片方面，国家安全的理由要弱得多，商务部直到最近才对长鑫存储科技公司的许可证发放严格把关。生产闪存芯片的扬子江存储科技公司也很少获得许可。
中芯国际在获得许可证方面似乎运气更好，因为它比其他中国芯片制造商拥有更多的制造工厂，这使得美国供应商有更大的动力去努力游说，以维持销售，因为他们可以合理地证明出口不是用于先进制造。
雷蒙多在9月19日的国会证词中说，她的部门会在发现规则漏洞时予以填补。目前看来，即使在目前宽松的许可条件下，中国也不可能在短期内发展到5纳米以上的水平。但是，如果美国政府真的想把中国的技术能力限制在一年前宣布的水平，它就必须堵住自己制造的漏洞。
中芯国际利用宽松的许可和低劣的标准，但仍面临限制。
2023/10/0417:01日经英语新闻 哥本哈根商学院国际经济、政府和商业副教授道格拉斯-富勒
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