有报道称，中芯国际正在采用DUV打造5纳米工艺，推算良品率大约30-40%，成本高昂。
中芯国际的制造能力可能不会很快局限于 7 纳米工艺，因为一份新的报告指出，这家中国半导体公司正在推进其 5 纳米技术。然而，与台积电等使用先进的超紫外光（EUV）设备的制造商相比，中芯国际被迫在其现有的 DUV 设备上批量生产这些"尖端"晶圆，这对该公司来说很可能是一项成本高昂的冒险。
中芯国际可能从政府获得价值数十亿美元的补贴，从而成功推进其 5 纳米工艺；目前尚不清楚预计产量。
华为预计将在明年推出 P70、P70 Pro 和 P70 Art，因此这家前中国巨头需要在先进芯片方面保持市场竞争力。尽管麒麟 9000S 是一款 7nm SoC，但由于美国对华为和中芯国际的制裁，它仍被认为是一项突破性成就。
据 The Elec 报道，一位不愿透露姓名的行业人士表示，深紫外工艺 (DUV) 的零部件供应目前跟不上中国的需求，预计这一特殊市场将进一步扩大。此外，他还提到中芯国际正在准备通过 DUV 实现 5 纳米工艺，这会使得光掩膜的使用量有望进一步增加。
中国半导体产业发展引发的半导体光掩膜短缺，正蔓延到空白掩膜领域。空白掩膜是光掩膜的原材料。业内人士认为，这种现象可能会延伸到光掩膜的保护成分--胶粒。
据业内人士 6 日透露，国内用于曝光工艺的部件制造商正在经历繁荣。空白掩膜公司 S&S Tech 今年第三季度的累计销售额达到 5.5亿人民币。与去年同期相比增长了 20.4%。该公司用于曝光工艺的部件销售额也有所增长。
空白掩膜是光掩膜的原材料，最近一直供不应求。它的制作方法是在高纯度石英上沉积金属屏蔽膜和防反射膜，然后涂上感光溶液。光掩膜是通过在其上雕刻半导体电路图案制成的。
胶层是光掩膜的保护部分。通过涂敷胶层，可以缩短光掩膜的更换周期，从而降低加工成本，提高生产率。
造成日益短缺的原因很复杂。除了中国无晶圆厂公司的数量不断增加（截至去年已达 3243 家）之外，中国光掩膜公司缺乏技术以及采用 DUV 的 7 纳米工艺也是原因之一。
一位业内人士说："中国掩膜厂生产的产品，质量低于 TOPPAN 和 DNP，因此我们需要使用更多的空白掩膜和光刻胶。在采用 DUV 的 7nm 工艺生产中，与 EUV 相比需要大量的光掩膜，由于中芯国际正在准备采用 DUV 的 5nm 工艺，预计光掩膜的使用量会进一步增加。"
业内人士分析，在可预见的未来，这种情况可能会持续下去。这是因为光刻工艺组件的关键技术掌握在日本、美国和韩国的公司手中。光刻胶也是如此。
由于美国禁止荷兰的 ASML 等公司向中国供应下一代 EUV 机器，中芯国际别无选择，只能使用 DUV 设备继续 5 纳米工艺。我们曾报道过，一位前台积电高管表示，华为和中芯国际都有可能制造出 5 纳米 SoC，但在现有设备下，这将耗费大量时间，产量较低，而且成本高昂。
报告没有深入探讨中芯国际 5 纳米工艺使用当前 DUV 硬件的预期良品率，但我们预计应该在 30% 至 40% 之间。尽管在竞争中落后了几代，但中国的企业已经证明，他们不需要与美国公司或任何外国公司合作就能推进芯片生产，在整体技术水平上，中芯国际还需要几年才能赶上台积电和三星的水平。
摘自网媒cnBeta.COM2023年12月06日
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