韩媒：中国半导体又突破了，与三星差距为4年！
12月6日，韩国媒体《财经新闻》发表文章称，中国主要DRAM半导体企业长鑫存储科技自主研发LPDDR5 DRAM存储芯片，并投入量产。据悉，与三星的差距为4年。
近日，长鑫存储在官网发布公告称，已研发出中国国内首款LPDDR5 DRAM存储芯片，并将推出12Gb LPDDR5、POP封装的12GB LPDDR5芯片、DSC封装6GB LPDDR5芯片等多个LPDDR5系列。
LPDDR5是第五代超低功耗DRAM。与上一代LPDDR4X相比，容量和速度提高了50%，同时功耗降低了30%。
长鑫存储表示，将全面提升产品使用性能，市场份额也将快速增长，LPDDR5产品目前已在中国主要手机厂商小米和传音等机型上完成验证，并计划全面加快市场化步伐。
三星于2019年7月宣布业界首次量产12Gb LPDDR5移动DRAM，美光于2020年2月开始供应内存容量为6GB、8GB、12GB的LPDDR5 DRAM芯片。SK海力士于2021年8月量产18GB LPDDR5移动DRAM产品并推向市场。简单计算一下，长鑫存储与三星的技术差距为4年。
三星官网显示，LPDDR5以51.2 GB/s的速度实现大量数据传输，得益于流畅的系统通信，在高性能移动和汽车环境下提升用户体验。
不过在量产方面，长鑫存储与三星等企业的差距还很大，市场研究公司DRAM Exchange的报告称，今年第三季度全球DRAM市场规模达到106.75亿美元，较前一季度增长11.9%，其中三星、SK海力士、美光占据了95%以上。
长鑫存储成立于2016年，致力于设计、研发、生产和销售DRAM。它在合肥和北京拥有12英寸晶圆工厂。美国去年10月将长鑫存储列入出口管制名单。
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