韩媒：无视美国制裁，华为加快高带宽存储器研发！
7月14日，韩国媒体《EToday》发表文章称，中国最大的通信设备企业华为正在与中国半导体企业武汉新芯合作，生产人工智能（AI）芯片的核心部件——高带宽存储器（HBM）芯片。
HBM是由多个DRAM垂直堆叠而成的高性能存储器。随着AI时代需求的增加，中国也进入了这一领域。根据市场研究公司Trend Force的数据，去年全球HBM市场份额为：韩国SK海力士53%、三星电子38%、美国美光9%。
江苏长电科技和通富微电子也参与了华为与武汉新芯的合作项目。这些公司的任务是提供CoWos。CoWos是一种先进的封装工艺。它是一种高精度技术，通过在堆叠图形处理单元（GPU）和HBM芯片来提高处理能力并减少空间和功耗。目前它是生产英伟达AI半导体的关键技术。
预计华为进入HBM市场将加剧与美国的技术冲突。有分析认为，“被列入美国黑名单的华为制造HBM芯片是华为无视美国技术制裁的努力，这就是华为崛起的原因。”
此前，美国禁止华为智能手机安装谷歌安卓操作系统，华为智能手机业务受到了影响。然而，去年8月，随着配备中国制造的7纳米先进半导体的智能手机“Mate 60 Pro”的推出，华为恢复了势头。
不过，中国仍处于HBM芯片开发的早期阶段，在美国半导体和AI领域的技术限制下，分析师和业内人士将密切关注开发过程。在韩国企业占据全球市场一半以上份额的情况下，华为的HBM开发计划仍有很长的路要走。
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