韩媒：绕过美国制裁，下一代功率半导体中国将成为“领导者”！
7月17日，韩国媒体《韩民族日报》发表文章称，下一代功率半导体是“韩国半导体战略”的关键领域，技术竞争非常激烈，有分析认为，中国可能在5到10年内成为“领导者”。与全球领先企业相比，中国的半导体制造竞争力在NAND闪存方面存在两年左右的差距，在DRAM方面则存在五年左右的差距。
韩国国际经济政策研究所近日发布的《中国半导体国产化现状》报告显示，中国正在推进对用于电动汽车和能源储存系统（ESS）等的新一代功率半导体（SiC, GaN）的支援及扩大竞争力，以抢占技术主导权。
报告称：“继美国之后，荷兰和日本也将采取措施控制向中国出口半导体设备，而半导体设备海外依赖度较高的中国则通过国产化进行应对。”“尖端半导体是制造工艺的各种专利壁垒，中国很难克服技术难关，而市场认为，下一代功率半导体领域中国可以在未来5-10年内领先。”在下一代功率半导体方面，瑞士和意大利企业意法半导体在中国重庆市投资32亿美元，正在推进到2025年建设功率半导体生产工厂。功率半导体是“韩国半导体战略”的核心领域之一。
截至2022年，中国半导体设备进口比例较高，依次为日本、美国、新加坡、韩国。日本设备进口依存度达到37.2%。中国正在集中投资积累美国对华半导体制裁力度相对较弱的尖端半导体芯片设计领域。中国从2017年左右开始半导体设计领域增长加速，中国半导体工厂从2014年的681家增加到2021年的2810家，增加了4.1倍。在此期间，半导体设计企业销售额也增长了4.3倍（2021年4519亿元人民币）。
中国半导体设计初创企业拥有高性能图形处理器（GPU）设计能力，2022年中国半导体领域（设计、制造、后端工程）专利申请件数达6513件（设计领域53.8%），正在保护专利技术。从尖端半导体设计竞争力来看，华为在封装、极紫外光刻（EUV）、电子设计自动化（EDA）等领域申请专利，阿里巴巴、字节跳动、腾讯等开始着手人工智能（AI）芯片设计。
2022年中国半导体设备国产化率为35%，同比上升14个百分点。北方华创、中微半导体等通过政府投资支持快速确保技术力量，在蚀刻、薄膜、沉积等工程领域大幅提高国产化率。中国半导体制造竞争力与全球领先企业相比，NAND闪存存在2年左右的技术差距，DRAM存在5年左右的技术差距，中央处理器（CPU）、DRAM、NAND闪存领域的国产化率以2021年为准还只有个位数。
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