韩媒：“HBM领域落后韩国十年”，中国要开始发力了！
5月17日，韩国媒体《首尔经济日报》发表文章称，中国半导体企业最近加快了与人工智能（AI）半导体一起快速增长的高带宽存储器（HBM）的开发。有分析认为，在美国对华半导体出口限制不断深化的情况下，中国正在加快确保本国半导体供应链。但由于技术上的限制，目前为止还集中在HBM2上。
中国第一大DRAM公司长鑫存储科技与芯片封装测试公司通富微电子联手开发HBM芯片样品，已向客户展示。中国最大的NAND闪存公司长江存储旗下的武汉新芯也于今年2月开工建设了一座工厂，该工厂每月可生产3000片12英寸HBM晶圆。长鑫存储器和武汉新芯都是处于中国“半导体热潮”前沿的公司。据了解，这些公司还定期与韩国和日本的半导体设备公司联系，采购用于HBM开发的设备。中国华为还计划到2026年与其他中国公司合作生产HBM2芯片。
HBM是2013年首次推出的一种DRAM标准，通过垂直堆叠芯片制成，以节省空间并降低功耗。HBM对于处理复杂AI应用程序产生的大量数据至关重要，由于最近AI的蓬勃发展，其需求激增。目前，HBM市场由韩国SK海力士和三星电子主导。
White Oak Capital投资总监诺里·丘指出，中国芯片制造商在HBM领域落后韩国等全球竞争对手10年左右，中国目前在传统内存市场领域也缺乏竞争力，因此还有很长的路要走。据悉，目前中国正在致力于HBM2。这是因为中国企业很难获得制造HBM3芯片所需的美国设备和技术。另外，长鑫存储科技就HBM芯片的制造及功能在中国、美国等申请了130项专利，并着手开发制造HBM3所需的技术。
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