韩媒：美国《芯片法案》针对中国，韩国陷入进退两难困境！
7月17日，韩国媒体《数码日报》发表文章称，由于美国和中国的竞争，韩国陷入了进退两难的境地。特别是，随着今年美国决定推进的《芯片与科学法案》针对中国，预计会对在中国设有工厂的三星电子、SK海力士等韩国企业造成负面影响。
前不久，美国政府公布了乔·拜登总统签署的《芯片法案》的详细指南。根据《芯片法案》，在美国投资的半导体公司现在可以获得生产补贴。未来五年将注入约390亿美元作为美国半导体生产的支持。继生产补贴后，计划发放132亿美元的研发补贴。
由于《芯片法案》的支持，韩国也可以从中受益。因为三星电子投入约170亿美元在美国得克萨斯州泰勒市建设尖端半导体工厂，而SK海力士也计划建设一座半导体后端工艺工厂。
但是，为了获得生产补贴，必须满足苛刻的条件。这个条件对韩国来说像“毒药条款”一样凌驾于首位成为了关键问题。为了获得生产补贴，必须承诺不增加对安全担忧国家的半导体生产能力，这里包括中国。
美国商务部长吉娜·雷蒙多说：“该法案的目的不是为在经济衰退时期陷入困境的企业提供补贴，也不一定帮助企业在美国获得更多收益。”“预计会有很多企业对补贴金额感到失望，但我们的投资在于实现国家安全目标。”也就是说，这可以解释为，在支持生产补贴提高本国半导体竞争力的同时，也是针对中国的牵制政策。
目前，三星电子在中国西安和苏州拥有工厂，SK海力士在无锡和大连生产半导体。目前，三星电子生产了中国40%的NAND闪存，SK海力士生产了40%的DRAM和20%的NAND。据称，这两家公司在中国的投资分别超过33万亿韩元（约1829亿元人民币）和35万亿韩元（约1940亿元人民币）。有人预测，如果得到美国政府的补贴，此前执行积极投资的中国工厂将遭受相当大的损失。
3月21日，美国政府公布了《芯片法案》中“安全装置（护栏）”的详细条款，被称为“毒药条款”。根据条件，三星电子和SK海力士在中国的先进半导体产能扩张很难超过5%。上一代通用半导体产能只能扩大10%。
其中，尖端半导体标准包括小于28纳米工艺的逻辑半导体、18纳米工艺DRAM和128层以上的NAND闪存。就三星电子和SK海力士而言，该标准适用于大多数在中国生产的半导体。因此，它对应于5%或更多的产能限制。
至少，半导体工艺技术的升级被排除在外。如果半导体晶圆产量不增加，中国工厂设施可以进行技术升级。然而，由于美国和荷兰正在推动限制向中国出口先进半导体生产设备，实际上可以回避的方案并不多。
首尔大学材料工学系教授黄哲成表示，从10年来的统计来看，DRAM产量每年增长5%，NAND闪存每年增长8%。10年后，NAND闪存产量需要增加220%，DRAM产量需要增加63%。然而，由于《芯片法案》护栏条款的影响，三星电子和SK海力士在中国的晶片投入量在10年内只能增加5%。无法提高产量意味着无法弥补损失，结果只能关闭工厂。而且DRAM的EUV设备也很难引进，因此也无法走向最尖端。
更大的问题是，中国一直在积极回应美国的此类举措。中国国家互联网信息办公室（CAC）宣布，对美国半导体企业美光在中国销售的产品进行网络安全审查。业界担心，三星电子、SK海力士可能会步美光的后尘。
结果，中国以美光存在严重的网络安全风险为依据，下达了限制美光在中国销售的方针，这次美国勃然大怒。美国大声疾呼这是毫无根据的限制，同时宣布外国存储器制造商不能填补美光的空白。这句话实际上被解读为针对三星电子、SK海力士的发言。
据业内人士透露，最近美光决定向中国业务投资43亿元人民币左右。虽然两国存在矛盾，但不能排除半导体市场规模和需求较大的中国。这是对中国西安封测工厂的投资。还在考虑构建移动DRAM和NAND 闪存新生产线。
美光科技首席执行官桑贾伊·梅洛特拉在一份声明中强调，此次投资“体现了公司对中国业务坚定的意志。”
另一方面，令人关注的是，美国近期开始调整对中国半导体的制裁步伐。它正在考虑延长禁止向中国进口高科技半导体设备的出口管制延期政策。以韩国企业为例，三星电子和SK海力士在去年10月获得了宽限期，今年10月将全面控制在中国国内投入最新设备。
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