众所周知，美国发动的对华“科技战”，特别是在半导体领域对中国一些企业实行的技术禁运，确实对中国的许多半导体企业，以及相应的下游电子设备制造企业造成了一定困难。但是这些困难并没有让中国企业低头，而是激发了中国企业的奋发图强，从数年前就开始了产业链自主化的长征，并且已经取得了一些成绩。

最近，加拿大半导体和微电子行业分析机构TechInsights，就又发现了一个中国企业的巨大成就：中国长江存储在市场上率先推出了首款200层以上的3D NAND闪存芯片，成功反超韩国三星电子、SK海力士以及美国镁光等主要竞争对手，在技术上成为这个半导体细分领域的全球领导者。

（长江存储已经在业界率先量产超过300层的3D NAND闪存芯片X3-9070）

根据TechInsights最新发布的《颠覆性事件》报告，该机构在今年11月对中国监控设备制造商杭州海康威视数字技术有限公司的2 TB SSD固态硬盘进行了逆向工程分析，发现了长江存储最新NAND闪存芯片的证据，在报告中称其为Xtacking 3.0技术，估计堆叠层数为232层。实际上长江存储在2022年的闪存峰会（FMS）上就正式发布了基于晶栈3.0（Xtacking 3.0）架构的第四代3D TLC NAND闪存芯片，型号为X3-9070。相比上一代产品，X3-9070拥有更高的存储密度和更快的I/O速度。

但是按照半导体行业的一般规律，通常来说从技术发布到产品上市还需要一段时间，此前业内猜测长江存储的X3-9070闪存芯片要到2023年才会上市，但是没想到这么快就已经在市场上见到了。根据国内媒体报道，除了海康威视的SSD产品以外，我们国产的致态TiPlus7100系列SSD也使用了X3-9070芯片。

（2022年第二季度全球NAND闪存芯片市场领先企业的利润和市场占有率）