根据行业媒体的统计，2022年第二季度全球NAND闪存芯片市场领先企业分别是韩国三星（市场占有率33%），韩国SK集团（市场占有率19.9），日本铠侠（市场占有率为15.6%），西数（市场占有率13.2%）和美国镁光（市场占有率12.6%）。韩国企业在NAND闪存芯片领率已经占据了全球一半左右的市场。长江存储目前还属于新人，市场占有率不高。

作为行业领先企业，今年镁光、SK海力士和三星电子先后推出了200层以上的3D NAND闪存解决方案。其中最早发布技术的是镁光，在今年5月就宣布推出业界首款232层的3D TLC NAND闪存，并且声称准备在2022年末开始生产，初始容量为1Tb（128GB）；到了今年8月份，SK海力士宣布已研发成功全球首款业界最高层数的238层NAND闪存，并已经向合作伙伴发送512Gb TLC 4D NAND芯片的样品；三星半导体在11月宣布已开始批量生产采用第8代V-NAND技术的1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层。

（业内预测的闪存堆叠技术的发展时间表，长江存储成为一匹黑马）

但是这些企业的产品都还没有在零售市场露面，没想到让长江存储领先上市。TechInsights评论称，这种先进的技术使这家中国公司成为了一个“严肃的竞争者”，它正在“逼近全球存储巨头，”并且预计长江存储将在2030年前成为闪存芯片市场的全球领导者。长江存储的优势包括通过Xtacking技术实现更大的存储空间和更短的开发时间。报告称：“在长江存储的Xtacking技术中，存储器阵列被翻转并结合到CMOS（互补金属氧化物半导体晶体管）上。”“长江存储声称，这种方法将产品开发时间至少缩短了三个月，并将生产周期缩短了20%。”

（NAND闪存和DRAM内存芯片的半导体制程工艺发展路径）