但人们发现，当工艺提升至15nm左右后，再微缩工艺，会导致数据不稳定，而NAND是用于SSD等存储设备上的，数据安全要大于一切，要是数据容易出问题，性能再好也白搭。

于是，存储芯片厂商们就另辟蹊径，依靠上下堆叠芯片的方式来增大存储，也就是使芯片结构从以前的2D平面，变成了3D立体，这XX层3D NAND闪存，就代表着这块芯片堆叠的层数，层数越多就代表存储密度越高，技术越先进。

由于3D NAND Flash的工艺完全是崭新的，2D时代的设备必须全部换新，所以这个时候就相当于大家都被拉回到同一个起跑线上了。

尽管当时三星、海力士、美光制造的64层3D NAND Flash芯片已经成为主流，并正在研发96层，但长江存储仍然成为了全球第5个能生产3D NAND Flash芯片的厂家。

路再远，只要不畏险途，终会抵达。

随后，堆叠技术不断迭代升级，2018年，堆叠技术的“及格线”被拉到了96层，两年后又被拔到了100层。

而就这期间，长江存储搞了个大新闻。

存储芯片是分为存储数据、读取/存入数据两个功能单元的，这两块相互独立，但又紧密联系。

传统的3D NAND芯片，通常是在同一片晶圆上，把存储单元和逻辑电路一并加工出来，但随着层级不断叠加，外围逻辑电路的面积会越来越大，到一定层级时，存储密度会大幅降低。

长江存储发现，虽然存储数据的单元为了防止数据出错，不能提升工艺，但是如果把读取/存入数据的单元工艺进行微缩提升，就能大幅度的提升读取/存入数据的速度的，反正这两部分相互独立，那干脆就分开用不同的工艺做就得了。

于是，他们就把存储单元和读取/存入数据单元分别放在两片晶圆上加工，前者使用成熟工艺来保证数据稳定，后者使用先进工艺保证读取/写入速度，再用数百万根金属通道把两者联通，这就是长江存储独创的Xtacking技术。