不能寄希望于弯道超车

目前，中芯国际与台积电在技术水平上的差距是非常明显的。

就市场份额来说，台积电的市场份额超过50%，而中芯国际的市场份额大约是台积电的十分之一。

在技术水平上，中芯国际也和台积电这样的大厂有一定差距。目前台积电7nm工艺早已量产，正在研发5nm工艺，而中芯国际刚刚掌握14nm工艺，正在研发10/12nm工艺。

目前，欧美科技公司要么采用IDM模式自己设计、自己制造，比如英特尔、TI等，要么找台积电流片，比如AMD、英伟达、苹果等。鲜有主动找中芯国际流片的，只有高通在被相关单位反垄断调查后，把部分订单交给中芯国际，此举令张忠谋感到震惊，认为政治因素压倒商业因素。

面对这种情况，有观点认为应该发展第三代半导体材料弯道超车。

铁流认为，这种观点是不可取的。半导体材料发展至今已历三代。

第一代半导体材料以锗和硅为代表，被广泛运用于集成电路制造领域，比如现在大家电脑和手机中的CPU和GPU就是采用硅材料制造的，美国硅谷也因“硅”而得名。

第二代半导体材料以砷化镓、磷化铟为代表，主要应用于以光发射器件为基础的光显示、光通信和光存储等光电子系统，比如高通最近就打算让自家的射频芯片采用砷化镓材料。

第三代半导体材料则以氮化镓、金刚石、碳化硅等为代表，氮化镓化学性质非常稳定，具有有宽的带隙、强的原子键、高的热导率、耐腐蚀等优点，熔点高达1700摄氏度，击穿电压高，抗辐射能力强。

诚然，在军工等对成本不敏感的领域，第三代半导体材料已经被运用，比如国产新锐战机上就搭载了采用氮化镓元器件的雷达。但在民用市场，第三代半导体材料市场前景有限。一方面是因为成本问题，用第三代半导体材料过于昂贵，另一方面，基于第三代半导体材料的特性，在功率器件等方面优势明显，在光电子和高频微波器件等方面具有应用潜力，但在逻辑器件上相对于硅而言是没有任何性价比的。在硅材料成本低廉且产业链成熟的情况下，商家没有动力去使用新材料。事实上，即便是民用器件，一些商家也都在玩“材料降级”，比如一些公司就把原本采用第二代半导体材料砷化镓的射频芯片换成SOI工艺以降低成本。

应构建自主产业链

当下，我国半导体产业与西方的差距是全方位的。就设计而言，国内IC设计公司高度依赖ARM授权，设计需要的EDA工具从国外三大厂购买，设计所需的仪器需要从国外购买，用于仿真的FPGA需要从X、A两家购买，国内公司做的只是SoC设计。

就设备市场来说，国内厂商仅占据本土市场份额的5%左右，即便是一些国产的设备，哪怕是本土的明星设备厂商，在关键零部件上也需要从美国公司采购。就原材料而言，国内厂商只是刚刚解决12英寸晶圆的有无问题，在12英寸晶圆上大量依赖进口。