中国科技部今年已将氧化镓列入“十四五重点研发计划”。而美国目前正从前沿军事技术布局的角度大力发展氧化镓材料。美国空军研究实验室、美国海军实验室和美国宇航局，积极寻求与美国高校和全球企业合作，开发耐更高电压、尺寸更小、更耐辐射的氧化镓功率器件。
电子计算机辅助设计软件（Electronic Computer-Aided Design，ECAD）
ECAD是一类用于设计、分析、优化和验证集成电路或印刷电路板性能的软件工具。
BIS公告称，此次被纳入管制范围ECAD软件，是专门被用于开发具有全栅极场效应晶体管 (GAAFET) 结构集成电路的软件。
GAAFET晶体管结构是实现3nm及以下技术节点的关键。该技术使生产更快、更节能、更耐辐射的集成电路成为可能，可以用于推进许多商业和军事应用，包括国防和通信卫星。
今年6月，三星已使用GAAFET技术量产3nm制程芯片，尚未公布具体客户名单。而台积电已宣布，3nm制程仍将采用FinFET晶体管结构，最早到2nm制程时才会使用GAAFET结构。
曾有半导体行业媒体撰文指出，采用GAAFET晶体管结构制造的芯片，性能有望提升25%，功耗降低50%。而使用FinFET结构，性能和功耗的改善大致都在15%到20%的范围内。但两种技术的难度和成本应该并不相同。
元达律师事务所资深顾问詹凯向观察者网指出，用于开发GAAFET晶体管结构的ECAD软件将被美国添加到新的出口管制分类编号3D006下的商业管制清单（CCL）中。对于在NS列中带有“X”的国家/地区，出于国家安全 (NS) 和反恐 (AT) 的原因，这将需要出口许可证，包括中国也属于受限国家。
他认为，美国严格限制EDA领域是比较困难的，这将给当前已经面临严重不确定性的半导体产业带来巨大伤害。本次美国采取的临时禁令和之前判断一致，主要针对的是“3nm及以下”先进制程的ECAD，而不是全产品线和产业链均需要使用的EAD产品。从这个角度看，美方“小院高墙”的出口管制政策并没有改变。
目前，国内已涌现出华大九天、广立微、概伦电子、芯和半导体等多家EDA厂商。被视为国产EDA龙头的华大九天去年曾在招股书中透露，该公司既有模拟电路设计及验证工具尚不支持16nm及以下先进工艺设计。