军事：美称中国首家闪存芯片工厂下周开建 走上自主之路(2)

　　去年，中国国有企业紫光集团有限公司（Tsinghua Unigroup）试图投资多家美国芯片生产商，美国政府对这类举动相当警觉。到目前为止，这家迅速崛起的中国科技公司的这一尝试一直未获成功。

　　武汉新芯的工厂将生产闪存和动态随机存取存储器芯片（DRAM芯片）。武汉新芯发言人称，该厂资金主要来自中国国家半导体基金和湖北省政府。

　　总部位于加州 何塞的柏士半导体去年实现收入16亿美元。该公司一直以静态随机存取存储器芯片（SRAM芯片）而闻名。通过与Spansion合并，柏士半导体获得了智能手机和其他产品闪存技术的专业技术。Spansion原本是高级微设备公司（Advanced Micro Devices Inc。， AMD， 又名：超威半导体）和富士通（Fujitsu Ltd。）成立的合资企业。

　　武汉新芯发言人称，240亿美元的投资将分三个阶段部署，第一家工厂专注NAND闪存生产，第二家工厂专注DRAM芯片生产，第三个阶段的设施将专为供应商服务。武汉新芯和Spansion去年在建立合作关系的联合声明中称，首批产品将于2017年上市销售。

　　柏士半导体发言人周四未立即置评。

　　总部位于台湾的集邦科技（TrendForce）旗下的存储行业研究机构DRAMeXchange研究主管杨文得（Sean Yang）表示，这是一个标志性的突破，是中国公司真正走上自主生产半导体之路的里程碑。