军事：美称中国首家闪存芯片工厂下周开建 走上自主之路(4)

　　中国对存储芯片的兴趣随着去年紫光集团加大投资力度而变得明朗化。这家拥有政府背景的公司意图收购美国存储芯片制造商美光科技公司（Micron Technology Inc。， MU），并投资西部数据股份有限公司（Western Digital Corporation， WDC），当时西部数据正寻求收购闪存芯片制造商闪迪（SanDisk Co。， SNDK）。这些交易最后均未达成，原因之一是担心美国政府反对。

　　武汉新芯打算生产名为“3D NAND”的下一代闪存芯片，预计这种芯片将成为未来数年计算机设备的主流数据存储工具。据首席执行长杨士宁（Simon Yang）描述，智能手机及其他产品目前使用的是所谓的“二维NAND”，相比之下，二维NAND就像是停车场，而3D NAND则是一个立体的停车场。

　　三星电子是多层次存储技术的探路先锋（这一技术可以提高芯片的存储效率），其他企业跟在后面亦步亦趋，也包括美国的英特尔和美光科技。Bernstein Research的纽曼称，三星电子是目前唯一实现量产3D NAND的制造商，不过，今年这种芯片的生产成本已经降到比常规NAND芯片更低，因此将会很快普及。

　　对这项技术的掌握程度也是参差不齐：三星电子的技术可达64层，而据分析师说，武汉新芯只有8层。

　　当被问及层数时，武汉新芯发言人不予披露。