军事：中国增列大批禁止向朝鲜出口物项及技术(清单)(11)

　　（c）下列任何光阴极：

　　1。多碱光阴极（例如，S-20和S-25），发光灵敏度超过700微安每流明；

　　2。砷化镓或掺铟砷化镓光阴极；或

　　3。其他“III/V复合”半导体光阴极，最大“辐射灵敏度”超过10毫安/瓦；

　　4。具有下列所有特性的图象增强管：

　　（a）波长范围大于1050纳米但不超过1800纳米的峰值响应；

　　（b）使用下列任一装置的电子图像放大：

　　1。微通道板，孔距（中心到中心的间隔）12微米或更小；或

　　2。电子感应装置，非合并像素间距为500微米或更小，经过专门设计或修改，用于实现不通过微通道板的“电荷倍增”；

　　（c）III/V复合半导体（如砷化镓或掺铟砷化镓）光阴极和转移的电子光阴极，最大“辐射灵敏度”超过15毫安/瓦。

　　5。非“太空级”“焦平面阵列”如下：

　　（a）具有下列所有特性：

　　1。波长范围大于900纳米但不超过1050纳米峰值响应的个体元件；

　　2。具有下列任一特性：

　　a。响应“时间常量”小于0.5纳秒；或

　　b。经过专门设计或修改，以实现“电荷倍增”，最大“辐射灵敏度”超过10毫安/瓦；

　　3。具有下列所有特性：