ASML过时了？压印芯片！佳能开始销售功耗仅为十分之一的5nm兼容型半导体制造设备。
佳能公司推出了采用其独特的"纳米压印"（NIL）技术的FPA-1200NZ2C半导体制造设备。
半导体制造中最重要的部分是将电路图案转移到晶片上的曝光系统，最常见的方法是通过照射涂在晶片上的抗蚀剂（树脂）来烘烤电路。在传统方法中，由于存在一个称为光学系统的中间物体，工艺节点的微型化取决于光源波长的微型化。
在佳能开发的NIL中，刻有电路图案的掩膜或模具被压在晶片上的抗蚀剂上，形成电路图案。由于省略了光学系统，掩模上的精细电路图案可以忠实地再现，从而可以在一次压印中形成复杂的2D/3D电路图案。
不使用光学系统的简单结构意味着，用于尖端逻辑（5纳米节点/15纳米线宽）的现有曝光技术的功耗仅为投影曝光系统的十分之一，这也有助于减少二氧化碳排放。此外，由于一次曝光即可形成三维图案，该技术还可用于半导体器件以外的其他应用，如用于XR的微结构为几十纳米的元透镜。
此外，该技术目前能够形成最小线宽为14纳米的图案，相当于现有最先进逻辑半导体制造水平的5纳米节点，但通过改进掩模，预计能够支持最小线宽为10纳米的水平，相当于2纳米节点。
刘尧10月13日PC观察
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