美国：28纳米半导体是对华限制的“战略漏洞”！
10月21日，韩国媒体《先驱经济》发表文章称，美国对华半导体制裁集中在尖端领域的情况下，美国国会研究服务部（CRS）指出，28纳米半导体没有受到制裁正在成为一个“战略漏洞”。
CRS研究人员通过一份题为《全球背景下的半导体和半导体法案》的报告透露，中国正在利用政策促进28纳米半导体的投资。
美国去年出台的《半导体法案》曾设定门槛，要求补贴受益企业未来10年不得在中国生产小于28纳米的半导体。
另一方面，根据美国商务部上个月公布的半导体法案的护栏规定，与28纳米或以上的半导体封装工作相关的“全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）”被排除在限制对象“国家安全的核心半导体”目录之外。
CRS研究人员认为，在中国专注于28纳米半导体技术的情况下，美国和中国之间的做法差异似乎给中国留下了美国技术向中国转移的“战略漏洞”。
28纳米半导体不仅用于商业领域，如5G技术、电动汽车功率器件、手机、物联网等，还广泛用于军事领域，并具有良好的成本效益。
虽然28纳米是传统半导体，但有人指出，即使下一代半导体也使用了约80%的现有技术，重叠部分很多，因此应该考虑到通过28纳米实现尖端半导体功能的可能性。
CRS研究人员表示：“中国在世界范围内主导28纳米半导体的生产，并利用这一点进一步推进技术价值链。”CRS还指出，得益于中国政府的政策和支持，中国在该领域有相当大的发展潜力。
此外，中国的市场规模、电子产品消费品生产基地的地位、半导体相关技术发达等也是中国的优势。
报告还介绍了韩国、中国、日本、东南亚、欧洲等各国的半导体补贴支持情况。并评价道：“国会可以考虑是否要求政府出台政策，以避免盟友和友好国家之间对半导体补贴进行非生产性竞争。”
报告指出：“半导体法案的核心目标是确保以美国为基础的制造，以应对尖端半导体的需求。目前只有台积电和三星电子拥有最新的技术，因此他们在美国的投资非常重要。”
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