继中国哈工大突破EUV光源技术后,美国紧急启动第二技术方案
美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室开发出了一种名为大孔径铥(BAT)激光器,旨在为极紫外(EUV)光刻技术的下一步发展奠定基础。
1. 技术突破
哈工大在EUV光源上实现了技术突破,美国则紧急启动第二技术方案。
2. EUV技术发展
由美国政府推动,英特尔牵头,集合了全美国最顶级的科研机构和工程团队,一起攻克用EUV光源来制造芯片的瓶颈。
3. DPP与LPP的区别
DPP通过放电使负载形成等离子体,辐射出紫外线,利用多层膜反射镜多次反射净化能谱,获得13.5nm极紫外光;而LPP则是通过强激光轰击锡元素,使金属锡被打成等离子体,这种等离子体足以达到EUV的要求。
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