韩媒：“令人难以置信的技术飞跃，中国半导体又做到了！”
11月13日，韩国媒体《先驱经济》发表文章称，中国最大的存储半导体公司长江存储科技有限公司最近确认推出232层NAND闪存，令韩国业界大吃一惊，据称已筹集了数十亿美元的投资。随着NAND闪存市场恶化以及中美半导体竞争，三星电子、SK海力士等韩国企业的负担不断加重，但有分析认为，中国的技术追赶正在加速，进一步威胁韩国半导体。
据英国《金融时报》等外媒报道，中国主要存储器制造商长江存储成功筹集数十亿美元新资本，希望应对美国加强半导体出口限制。《金融时报》援引匿名消息人士的话说：“为了开发和引进替代设备，长江存储通过新的融资活动筹集了数十亿美元的投资。”
长江存储预计将利用本次获得的资金加速其供应链独立，同时对不可替代的设备物色韩国、日本等国的新供应商。
此前，长江存储曾在消费设备中使用232层3D NAND闪存，让业界大吃一惊。据外媒报道，TechInsights在上月25日的报告中表示：“在今年7月悄无声息地上市的1TB容量的消费者用固态硬盘‘ZTAT600’中发现了长江存储制造的232层QLC 3D NAND。”
随着NAND越是增加层数，就越需要高度的技术能力来钻出更深的垂直连接孔。SK海力士NAND量产的最大层数为238层。以三星电子为例，其已开始量产第8代V-NAND（236层），但据悉市场供应量低于美光和长江存储。
TechInsights表示，“这是安装在消费设备中的世界上最先进的3D NAND存储芯片，这是令人难以置信的技术飞跃”，并补充道，“中国再次做到了。” TechInsights表示，“尽管长江存储已被列入美国黑名单，且美国制裁限制了零部件和设备的采购，但它仍在悄悄地继续开发尖端技术。”不过，目前还不清楚长江存储的3D NAND是否完全由中国设备制造。
继中国智能手机企业华为今年8月底推出的智能手机“Mate 60 Pro”使用中国最大的芯片代工企业中芯国际的7纳米制程芯片之后，有评价认为，这是中国克服贸易制裁，构筑自己半导体供应链的证据。
TechInsights此前曾在去年11月声称，长江存储生产出了全球首款超过200层的3D NAND闪存，领先于三星电子、SK海力士和美光。
美国去年10月公布了一项出口管制措施，实际上禁止向生产18纳米以下DRAM、128层以上NAND 闪存、14纳米以下逻辑芯片的中国企业出口半导体设备。随后，同年12月又将长江存储等36家中国企业列入出口管制名单。美国最近还发布了进一步的出口管制通知，禁止向中国出口低端人工智能（AI）芯片。据悉，美国制裁令长江存储受到打击，其在武汉规划的第二家晶圆厂建设受阻。但技术开发的速度比预想的要快得多。
韩国业内人士评价说：“即使受到美国的制裁，中国的NAND 闪存开发水平依然是最高的。说中国拥有NAND 闪存的领导能力也不为过。”
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