韩媒：继NAND之后，中国DRAM也猛烈追赶韩国！
10月10日，韩国媒体《Edaily》发表文章称，中国的半导体追击战继NAND闪存之后，又扩展到了DRAM市场。这是因为DRAM公司长鑫存储是中国国内第一家成功开发第六代产品的公司，并且最近一直在增加供应，重点是中低端产品。虽然未能赶上三星电子和SK海力士主打的高端产品，但预计将对未来的竞争格局产生重大影响。
据业界透露，中国DRAM企业长鑫存储今年开始以LPDDR4等中低端DRAM产品为中心，扩大产能。LPDDR是一种功耗最小化的产品，用于智能手机和平板电脑等移动产品中。开发顺序为1-2-3-4-4X-5-5X，最新标准为LPDDR第7代（5X）。
目前，全球DRAM公司三星电子、SK海力士和美光组成“三巨头”体系。他们都成功开发并量产了高端产品第七代LPDDR5X，SK海力士已经实现了LPDDR5T产品的商业化，该产品比LPDDR5X提高了速度。长鑫存储去年年底利用自有技术成功开发了第六代LPDDR5，但尚未量产第七代产品。
在存储器中，与NAND不同，DRAM被认为是一个技术壁垒较高的行业。因此，中国企业无法轻易进入。不过，如果中国DRAM供应量增加，市场份额扩大，则有可能进入“四巨头”体系。
野村证券在最近的一份报告中表示，“长鑫存储产能已从去年年底的每月12万片大幅增加到今年的每月16万片”，预计到今年年底将增至每月20万片。野村证券诊断称，“如果长鑫存储产能按计划扩张，将占DRAM总产量的15%。”
目前，由于人工智能（AI）的影响以及智能手机和PC市场需求低迷，DRAM市场两极分化加剧。随着对高带宽存储器（HBM）等高容量高性能存储器的需求快速增长，供应商也开始调整生产。三星电子和SK海力士专注于DDR5、LPDDR5和HBM，但中国公司激进的数量攻势可能会损害韩国公司未来的业绩。
元大证券研究员白吉贤表示，“短期内，传统（通用）存储半导体价格上涨势头可能会放缓”，并补充道，“中国存储器企业进入最高端市场的可能性将极其有限”。
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