中国将建造EUV枪用于生产2纳米芯片
鉴于禁止向中国供应ASML的EUV扫描仪，中国制造商正在研究极端紫外线光刻的替代方法，以创建先进的芯片。
通过这种方式，有望成为同步光源，其功率将超过ASML等离子体激光器的能力。
据中国消息人士称，为了产生约1千瓦的EUV辐射，需要一个直径100至150米的储存环（更不用说辅助设施和结构了）。
尽管有SSMB加速器，光刻设备需要在生产透镜和工作平台方面作出大量努力。
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