韩媒：中韩半导体技术差距，DRAM领先中国5年，NAND领先2年！
7月4日，韩国媒体《韩国经济》发表文章称，半导体工艺非常复杂，制造一颗芯片通常需要两到三个月的时间，大约有600个步骤。这是一个尖端技术集中的行业，只有少数领先国家的少数公司拥有压倒性的能力。
在其他行业，即使技术不足，低工资的国家和公司也能以某种方式维持生态系统，但在半导体行业，只有技术和资本领先的赢家才能生存下来，垄断市场。在西方大国强强联手的市场上，后起之秀中国发出挑战，称“我们要将整个生态系统国产化”。
无论如何，起步较晚的中国，不可能一下子成为半导体制程所有领域的第一。对于韩国半导体企业来说，重要的是预测在西方积累的“技术堡垒”中，中国会最先攻占哪个环节。最终，韩国和中国在半导体技术差距缩小的领域是弱点。
首先让我们看看存储芯片的两大支柱——DRAM和NAND闪存。
在三星电子和SK海力士支撑的DRAM领域，韩国是“霸主”。DRAM公司实际上由“三巨头”主导，其中两家是韩国公司。根据市场研究公司Trend Force的数据，今年第一季度以销售额计算的全球市场份额为三星电子（43.2%）、美国美光（28.2%）和SK海力士（23.9%）。
韩国和中国的技术差距估计至少有5年。通常情况下，DRAM制程技术超越一代需要两到两年半的时间，三星电子上月表示，已经开始批量生产线宽为12纳米的第五代DRAM。SK海力士也于上月末宣布，已着手进行10纳米级第五代DRAM的开发和验证程序。
另一方面，中国的工艺技术估计还停留在第二代。由于美国的制裁，韩国和中国之间的技术差距很可能会进一步扩大。长鑫存储（CXMT）是中国DRAM领域的领先公司之一，据悉正在量产17纳米DRAM。由于此前美国商务部限制生产18纳米以下DRAM的中国企业进口美国设备，长鑫存储很难获得更高水平的工艺技术。原定于今年年底完工的长鑫存储第二工厂也被推迟。
在NAND闪存方面，长江存储紧追国内企业，但受到美国制裁的打击而停滞不前。因此，预计与韩国企业约2年左右的技术差距将进一步拉大。通常以垂直堆叠元件的3D NAND闪存为例，用堆叠规模来衡量技术的发展阶段，三星电子和SK海力士最近开发了200层第八代NAND闪存。长江存储去年年底跳过176层阶段，推出232层NAND闪存，备受关注。
但长江存储被列入美国出口管制名单，因此美国企业在没有政府许可的情况下无法与长江存储进行交易。韩国进出口银行海外经济研究所高级研究员李美惠预测说：“由于被派往长江存储的美国设备企业职员撤离，设备维修也会遇到困难。即使开发了200层以上的NAND闪存，产量的扩大也会受到限制。”这位资深研究员补充说：“而且，跨国企业很难与被列入美国黑名单的中国公司进行交易。”
据推测，委托生产半导体的代工领域的中韩技术差距也在5年左右。这是中国难以超越的领域。台积电和三星电子已经在超微细制程阶段展开激烈竞争，而且要想进军超微细制程，荷兰全球最大半导体设备企业ASML的极紫外（EUV）曝光设备必不可少。ASML是唯一一家能够生产EUV的公司。目前荷兰也加入了美国对华技术控制的行列，EUV曝光设备不可能进入中国。
即使中国研发出EUV光刻设备，很多人的看法是在晶圆代工领域也很难与韩国竞争。因为竞争对手已经跑得很远了。三星电子已经着手量产3纳米代工，而中芯国际的技术能力仅停留在14纳米工艺上。首尔大学电气信息工程系教授李赫宰预测说：“据悉，中芯国际成功开发了7纳米工程，但良品率可能会下降，5纳米以下没有EUV设备是不可能的。代工工程是一场时机之争，即使中国成功实现设备国产化，太迟的成功也没有意义。”
声明：该文观点仅代表作者本人，本信息平台不持有任何立场，欢迎在下方【顶/踩】按钮中亮出您的态度。