韩媒：不使用EUV也能制造2纳米半导体？还不受美国监管！
10月16日，韩国媒体《全球经济》发表文章称，日本光学装备企业佳能宣布了一项无需极紫外（EUV）设备即可生产2纳米半导体的技术。
近日，佳能推出了“纳米压印光刻（NIL）”，在半导体核心工艺的光刻中，无需使用EUV即可完成2纳米半导体的电路图案的技术，以及基于该技术的光刻系统“FPA-1200NZ2C”。
在半导体行业中，为了制造和生产7纳米或更小的超精细半导体，需要使用在光刻工艺中通过照射EUV等高能光在晶圆上绘制半导体电路图案的设备。
目前，荷兰ASML是唯一一家能够制造EVU光刻设备的公司。生产7纳米以下超精细半导体的台积电、三星电子、英特尔等都使用ASML的设备。
一旦佳能的NIL技术和设备验证全面完成，并开始全面导入半导体行业，预计将对一直独家供应超细半导体用EUV装备，即将供应2纳米级EUV装备的ASML造成不小的打击。
佳能此次推出的NIL设备，将刻有电路图案的掩模像印章一样按压到晶圆上，从而将其转印到晶圆上。由于它不经过现有的光学机制，因此可以在晶圆上如实地再现掩模上的精细电路图案，并且可以通过单个压印形成复杂的二维或三维电路图案，从而降低成本。
目前，NIL技术可以实现最小线宽为14nm的电路图案化，相当于主要高性能半导体中使用的5纳米节点。佳能预测，未来随着NIL掩模技术的发展，对应2纳米节点的最小线宽10纳米的电路图案将成为可能。
此外，新的环境控制技术可抑制设备内细颗粒的污染，有利于超精细、多阶段的半导体制造，最大限度地减少缺陷的发生，有助于提高良品率。由于不需要特殊光源，因此可以大大降低功耗，也可以减少二氧化碳的排放。
此外，佳能强调，这项新技术的应用范围很广，除了半导体元件之外，还可以用于生产具有数十纳米微结构的XR金属镜头。
Gartner分析师Garrav Gupta表示：“佳能取得的重大技术创新令人惊讶。过去，SK海力士和东芝在2015年联手开发NIL技术，但存在一些缺陷和问题，很难将其投入实际使用。”
有专家指出，追求半导体独立的中国将对佳能的NIL设备非常感兴趣。美国禁止向中国出口能够制造7纳米以下半导体的EUV设备，以抑制中国半导体技术的增长，但佳能的NIL设备并不属于这一监管的范围。
如果美国不尽快对NIL技术和设备进行限制，中国可能会获得并轻而易举地开发出5纳米级和2纳米级半导体。
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