韩媒：中国“硅光子芯片”取得突破，美国设备出口管制的悖论！
10月31日，韩国媒体《先驱经济》发表文章称，面对美国一系列尖端设备出口管制，中国正在通过加强自身技术实力实现半导体崛起。通过专注于下一代半导体技术“硅光子芯片”的开发，正在半导体竞争中获得一条捷径。美国内部也有人担心，“管制实际上正在加速中国的研发”。
近期，中国湖北九峰山实验室在硅光子芯片技术方面取得了重要进展。与普通半导体不同，硅光子芯片是一种通过光而不是电子传输数据的技术。由于它可以快速处理大量数据，被认为是可以解决人工智能（AI）时代数据瓶颈的下一代技术。该实验室成功点亮了集成在硅半导体上的激光光源。硅是半导体的主要材料，不能发光。因此，将发光材料集成到硅中是硅光子芯片开发的主要任务，据称，这个问题已经得到解决。
高丽大学KU-KIST融合研究生院教授金明基表示：“在AI出现导致数据量激增的情况下，继高带宽存储器（HBM）之后，将需要硅光子芯片。目前相关技术由美国主导，但如果中国以其独特的大规模和低成本开发，将对美国构成威胁。”
特别是，使用光而不是电子的硅光子芯片不需要用于绘制精细电子电路的极紫外（EUV）设备。因此，它被认为是一种可以绕过美国政府目前对EUV设备进口管制的技术。今年1月，美国智库战略与国际研究中心（CSIS）分析称，“硅光子芯片技术可能会改变美国和中国在半导体和AI方面的竞争格局。”
中国不仅在硅光子芯片领域，在韩国企业占据压倒性市场份额的存储半导体领域也在提高技术实力。中国长鑫存储去年87%的DRAM产品采用19纳米工艺生产，但今年将17纳米产品的份额提高到53%。
由于美国的出口限制，中国无法使用英伟达的高性能图形处理器（GPU）和ASML的EUV设备等，正在通过自主投资集中精力开发下一代技术。
美国内部也有人担心出口管制正在加速中国的研发。去年8月，当14纳米以下半导体出口受到限制时，中国华为与中国最大代工企业中芯国际合作开发了自己的7纳米工艺芯片，这一冲击可能会重演。CSIS在本月的一份报告中表示，“美国的出口管制加强了中国国内的研发，并使中国能够在此过程中走上‘更快的道路’。”
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