据俄媒报道,清华大学研究团队近期在微芯片制造光源上的成果引发外媒普遍关注。该校工程物理系教授唐传祥率领团队发布论文,揭示以“稳态微聚束”方式进行芯片生产的技术机理。该团队注意到,可以对带电粒子加速阶段产生的能量进行利用处理,以此形成稳定连续、精确的EUV光源。以这一技术推动芯片制造,能够压缩成本的同时提高芯片产量,这一技术预计能够绕过美国封锁,助力中国在2纳米的前沿领域实现芯片技术突破。

在对芯片刻蚀机理上,光刻机领域的头部企业阿斯麦通过压缩设备尺寸以便于出口。清华大学此项研究则指向设置巨型工厂,实现芯片的批量、集成生产。俄媒注意到,唐传祥团队在同雄安相关部门沟通协调,确定这一项目的选址地。清华大学取得相关技术理论突破,是多年进行技术累积的结果。2021年4月22日,清华大学集成电路学院成立。

曝清华大学有重大突破,中国将建巨型芯工厂,生产2纳米尖端芯片

2022年5月31日,清华黄翊东研究团队实现超光谱成像芯片技术突破,实现对像素点各精度信息的实时获取。对该技术进行成果落实的企业获得数亿融资。

进行芯片制造时,我们可以发问,光刻设备是否只有阿斯麦为代表的深紫外、极紫外光刻机这样一条技术路线?答案显然是否定的,物理原理具有通用性,设备制造形式也不必拘泥于一格。阿斯麦公司的技术路线与集成电路的发展历程同轨,是第三次工业革命时期技术积累的成果。当下不论是工业生产能力还是对芯片的需求量,同上世纪七八十年代都已不在一个层面。中国科研工作者可以给当代中国的芯片需求,一个新的技术解决路线。基于光源根技术以巨型工厂化方式,实现超过现行光刻机技术下的生产效率,这样的解决方案合于中国社会主义市场经济的经济基础。

曝清华大学有重大突破,中国将建巨型芯工厂,生产2纳米尖端芯片

中国也大可不必通过西方路线进行光刻机技术逐级迭代,路是人走出的,西方封堵了一条路,中国基于出发地、目的地,再走一条新路便是。

目前,芯片技术领域的中西之争,呈现出与汽车工业类似的表现特征。传统能源汽车时期,美、日、法、德等国通过技术垄断封锁,形成了中国车企难以跨越的重重阻碍。而通过加点电池技术、智能化技术,中企在技术集成后实现弯道超车,除大幅实现中国本地化生产的特斯拉外,电动汽车行业的领军企业均为中企。类似的情况在芯片领域可以再次上演,西方视角普遍认为,华为新机是以7nm制程堆叠出了5nm芯片。但也有一种可能,那便是华为从根技术出发,从底层重构芯片设计路线,实际检验出了不同于西方现行技术框架的新路线。

曝清华大学有重大突破,中国将建巨型芯工厂,生产2纳米尖端芯片

华为在AI领域遵循同样的底层重塑逻辑,完善现有技术理论、进行基于自主科研的各要素整合,继而实现技术突围的同时成本可控。华为发布新机后,阿斯麦总裁温彼得警告称,应以技术合作而非封锁态度对待中国,中国科研能力足够其给出西方以外的解决方案。俄媒今日俄罗斯分析称,美国单极化时期落幕的背景下,美国要对具备技术、资金、资源的中国进行封锁打压,注定无法实现。归根到底,不论是全球政治发展还是技术迭代,均不止西方的一条路径。

我们尊重西方已取得的技术实践成果,但这不妨碍在西方滥施封锁时,中国走出一条相比西方更为笔直宽阔的新路。

声明:该文观点仅代表作者本人,本信息平台不持有任何立场,欢迎在下方【顶/踩】按钮中亮出您的态度。