德语媒体:中国的技术进步几乎势不可挡:申请专利:中国 7 纳米芯片光刻技术取得突破。
中国在先进芯片制造领域正逐渐缩小与西方的差距。位于上海的微电子装备(集团)股份有限公司公布了一系列制造 7 纳米及以下芯片关键能力的专利。这一消息也得到了德国专业媒体的注意。
包括"芯智讯"在内的网络媒体报道称,国家知识产权局于9月10日披露了一项名为"极紫外辐射发生装置及光刻设备"的发明专利,内容涉及极紫外辐射(EUV)发生装置及光刻设备,申请者为上海微电子装备(集团)股份有限公司。
EUV 光刻技术是一种先进的芯片制造技术,可以在半导体晶圆上绘制极其精细的电路,从而生产出更小、更强大的芯片。这项技术使用极紫外光(EUV)作为光源,比传统光刻技术能实现更高的精度。拥有EUV光刻技术专利意味着掌握了制造7纳米及以下芯片的关键能力。
据相关报道,上海微电子此次披露的专利主要涉及 EUV 光源和光刻设备,其中重点的极紫外辐射发生器(光源)主要包括腔体、靶材发生器、激光发生器、收集镜、电极板、气控部件等关键部件。
这一消息也引起了德国科技时政类媒体 Telepolis 的关注。该媒体近日发表报道称,中国在芯片领域正在迎头赶上。
报道作者认为,中国的技术进步几乎势不可挡。
中国光刻设备市场 99% 的份额由荷兰阿斯麦(AMSL)及日本的尼康和佳能控制。只有阿斯麦生产 7 纳米以下芯片的设备。然而,阿斯麦在为中国客户提供服务方面面临压力,大陆是其仅次于台湾地区的第二大市场。
根据 2023 年年报,阿斯麦仅能满足中国订单的 50%。
据《南华早报》报道,自 9 月 6 日起,阿斯麦在中国提供零部件、软件更新和系统维护需要获得荷兰许可证。
此前,需在美国获得出口许可。
来源:DW

德语媒体:中国的技术进步几乎势不可挡:申请专利:中国 7 纳米芯片光刻技术取得突破

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