韩媒：继华为、龙芯之后，中国半导体的又一次飞跃！
12月8日，韩国媒体《先驱经济》发表文章称，中国主要DRAM半导体公司长鑫存储宣布，已生产出该国首款LPDDR5 DRAM。
这意味着，即使美国对中国实施技术限制，中国半导体行业的技术又实现了飞跃。
LPDDR是一种用于移动的低功耗DRAM。长鑫存储宣布推出LPDDR5系列产品，其中12Gb LPDDR5已获得小米、传音等中国智能手机厂商认证。
长鑫存储介绍说，新推出的LPDDR5与上一代LPDDR4X相比，数据传输速度提高了50%，功耗降低了30%。
同时预计LPDDR5将使其产品多样化，并扩大其在不断增长的移动设备市场的地位。
不过长鑫存储并没有透露是用什么工艺制造LPDDR5的。
此前，2018年7月，韩国三星电子开发出全球首款10纳米级8Gb LPDDR5 DRAM。三星电子随后在2021年推出了下一代16Gb LPDDR5X。
韩国SK海力士于2021年3月投入LPDDR5量产，美国美光于2020年初打造出LPDDR5。
长鑫存储成立于2016年，立志追赶这些全球DRAM市场领导者。
虽然长鑫存储推出的LPDDR5在性能上远远落后于这些全球领先者的产品，但其研发是在美国加大对中国半导体制裁的背景下进行的，因此备受关注。
有评论认为，长鑫存储取得了缩小与韩国和美国竞争对手差距的成果，这将使中国减少对进口产品的依赖。
中国首个LPDDR5存储芯片的开发是在荷兰ASML和日本制造商切断重要尖端光刻设备供应的情况下，中国在半导体开发和制造技术上正在稳步地取得进展。
此前，中国最大的通信设备企业华为于8月底推出了搭载7纳米尖端半导体的5G智能手机。
中国半导体设计公司龙芯中科上月公开了新一代CPU“3A6000”。对此，当地媒体称其性能与美国英特尔公司2020年推出的CPU相同。
长鑫存储、华为、龙芯中科都受到美国制裁。
前不久，美国宣布了额外的出口管制措施，将对华半导体限制扩大到低端芯片，加大了对中国的施压力度。
市场研究公司Counterpoint指出，“长鑫存储在提高良品率以及与韩国DRAM制造商的产品进行价格和质量竞争方面仍面临着一场艰苦的战斗。”并补充说，长鑫存储LPDDR5制造中使用的技术可能不是美国出口管制红线中的尖端技术。
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